Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, PQFN 3 X 3 12 A 30 V, 8 Broches

, Temps de croissance: 30ns, Courant d'entrée maximum: 10 mA, Tension d'isolement: 3,75 kVrms, Sortie Logique: Oui, Temps de chute: 7ns, MPN: HCPL-0201-000E.

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 24 A 150 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,095 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 30V, Série: HEXFET, MPN: IRFR24N15DTRPBF.

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 42 A 55 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0075 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 20V, Série: HEXFET, MPN: IRFR1010ZTRPBF.

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DFN2020 8,8 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,016 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 20V, Série: HEXFET, MPN: IRFHS8342TRPBF.

4mm, Dimensions: 12 (Dia.EPCOS Varistance à oxyde métallique, 30V, 47V, Standard, diamètre 12mm, Tension DC maximale: 38V, Tension de pincement: 93V, Courant de pincement: 5A, Energie: 4.4mm, Pas entre broches: 7.

Broadcom Optocoupleur Traversant, Sortie Darlington 400 %, Tension directe maximum: 1.85V, Type de boîtier: PDIP-W, Type de courant d'entrée: c.

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, PQFN 3 x 3 12 A 30 V, 8 broches, MPN: IRFH3707TRPBF.

26mm, Diamètre extérieur: 6.16mm.29mm, Conformité: BS 4463, Finition: Brut, Epaisseur: 0.

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, PQFN 3 x 3 12 A 30 V, 8 broches, MPN: IRFH3707TRPBF.

RS PRO Rondelle anti-vibrations et de blocage pour vis M3, Cuivre, Type de rondelle: Gondolé, Diamètre intérieur: 3.26mm, Diamètre extérieur: 6.