Broadcom Optocoupleur Traversant, Sortie Darlington 400 %

Name: Broadcom & Broadcom Optocoupleur Traversant, Sortie Darlington 400 %, Tension Directe Maximum: 1.85V, Type De Boîtier: PDIP-W, Type De Courant D'entrée: C.c., Courant D'entrée Maximum: 20 MA, Tension D'isolement: 5 KVrms, Sortie Logique: Oui, Taux De Transfert De Courant Maximum: 4500%, MPN: HCNW139-000E
Brand: Broadcom
SKU: CAXB-16915
Price: 2.59 EUR
Availability: InStock

About The , Courant d'entrée maximum: 20 mA, Tension d'isolement: 5 kVrms, Sortie Logique: Oui, Taux de transfert de courant maximum: 4500%, MPN: HCNW139-000E.Broadcom Optocoupleur Traversant, Sortie Darlington 400 %, Tension directe maximum: 1

Broadcom Optocoupleur Traversant, Sortie Darlington 400 %, Tension directe maximum: 1.85V, Type de boîtier: PDIP-W, Type de courant d'entrée: c.c., Courant d'entrée maximum: 20 mA, Tension d'isolement: 5 kVrms, Sortie Logique: Oui, Taux de transfert de courant maximum: 4500%, MPN: HCNW139-000E

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Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, PQFN 3 x 3 12 A 30 V, 8 broches

EPCOS Varistance à oxyde métallique, 30V, 47V, Standard, diamètre 12mm

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Specifications of Broadcom Optocoupleur Traversant, Sortie Darlington 400 %
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Last Updated December 20th, 2023 02:18 pm

Broadcom Optocoupleur Traversant, Sortie Darlington 400 %

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Broadcom Optocoupleur Montage en surface, Sortie Porte Logique

, Temps de croissance: 30ns, Courant d'entrée maximum: 10 mA, Tension d'isolement: 3,75 kVrms, Sortie Logique: Oui, Temps de chute: 7ns, MPN: HCPL-0201-000E.

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Optocoupleurs

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Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 24 A 150 V, 3 broches

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 24 A 150 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,095 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 30V, Série: HEXFET, MPN: IRFR24N15DTRPBF.

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Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 42 A 55 V, 3 broches

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 42 A 55 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0075 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 20V, Série: HEXFET, MPN: IRFR1010ZTRPBF.

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Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DFN2020 8,8 A 30 V, 8 broches

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DFN2020 8,8 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,016 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 20V, Série: HEXFET, MPN: IRFHS8342TRPBF.

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