EPCOS Varistance à Oxyde Métallique, 30V, 47V, Standard, Diamètre 12mm

5 (Dia.

EPCOS Varistance à oxyde métallique, 175V, 270V, Standard, diamètre 12mm, Tension DC maximale: 225V, Tension de pincement: 455V, Courant de pincement: 25A, Energie: 28J, Courant de surcharge maximal: 2500A, Capacité: 300pF, Epaisseur: 4.

Broadcom Optocoupleur Montage en surface, Sortie Porte Logique, Tension directe maximum: 1., Temps de croissance: 30ns, Courant d'entrée maximum: 10 mA, Tension d'isolement: 3,75 kVrms, Sortie Logique: Oui, Temps de chute: 7ns, MPN: HCPL-0201-000E.85V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 24 A 150 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,095 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 30V, Série: HEXFET, MPN: IRFR24N15DTRPBF.

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 42 A 55 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0075 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 20V, Série: HEXFET, MPN: IRFR1010ZTRPBF.

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DFN2020 8,8 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,016 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 20V, Série: HEXFET, MPN: IRFHS8342TRPBF.

4J, Courant de surcharge maximal: 500A, Capacité: 2.

85V, Type de boîtier: PDIP-W, Type de courant d'entrée: c.

) x 4.5mm, MPN: B72210S0300K101.

Broadcom Optocoupleur Traversant, Sortie Darlington 400 %, Tension directe maximum: 1.85V, Type de boîtier: PDIP-W, Type de courant d'entrée: c.