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Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, DFN2020 8,8 A 30 V, 8 Broches

About The Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DFN2020 8,8 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,016 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 20V, Série: HEXFET, MPN: IRFHS8342TRPBF

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DFN2020 8,8 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,016 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 20V, Série: HEXFET, MPN: IRFHS8342TRPBF

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Specifications of Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, DFN2020 8,8 A 30 V, 8 Broches

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EPCOS Varistance à oxyde métallique, 275V, 430V, Standard, diamètre 15.5mm
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    • EPCOS Varistance à oxyde métallique, 175V, 270V, Standard, diamètre 12mm

    EPCOS Varistance à oxyde métallique, 175V, 270V, Standard, diamètre 12mm

    EPCOS Varistance à oxyde métallique, 175V, 270V, Standard, diamètre 12mm, Tension DC maximale: 225V, Tension de pincement: 455V, Courant de pincement: 25A, Energie: 28J, Courant de surcharge maximal: 2500A, Capacité: 300pF, Epaisseur: 4.

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    • Broadcom Optocoupleur Montage en surface, Sortie Porte Logique

    Broadcom Optocoupleur Montage en surface, Sortie Porte Logique

    Broadcom Optocoupleur Montage en surface, Sortie Porte Logique, Tension directe maximum: 1., Temps de croissance: 30ns, Courant d'entrée maximum: 10 mA, Tension d'isolement: 3,75 kVrms, Sortie Logique: Oui, Temps de chute: 7ns, MPN: HCPL-0201-000E.85V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.

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    • Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 24 A 150 V, 3 broches

    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 24 A 150 V, 3 broches

    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 24 A 150 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,095 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 30V, Série: HEXFET, MPN: IRFR24N15DTRPBF.

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    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 24 A 150 V, 3 broches

    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DPAK (TO-252) 24 A 150 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,095 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 30V, Série: HEXFET, MPN: IRFR24N15DTRPBF.

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