STMicroelectronics MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 4 A, 3 Broches

ROHM MOSFET canal P, D2PAK (TO-263) 25 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 70 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.

RS PRO Écrou hexagonal, Filetage 3/4-16pouce, en Acier, Impérial/Métrique: Impérial, Type: Boulon amovible.

0 x 2.3M Marker, Books; Transparent vinyl film; 1.

3M Book, Wire Marker; Vinyl Impregnated Cloth Film with Natural Rubber Adhesive, MPN: SPB-01.

Abracon Oscillateur à quartz 16MHz Céramique hermétiquement étanche type Oscillateur d'horloge, Stabilité en fréquence: ± 30ppm, Niveau de sortie: CMOS, MPN: ASDAIG5-16.

; Nylon, MPN: 952X.73 in.

6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STD5N80K5.STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 4 A, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,73 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 60 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.

65mm.

6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STD5N80K5.STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 4 A, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,73 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 60 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.

STMicroelectronics Driver de MOSFET L6491D 4 A 20V, 14 broches, SO, Temps de descente: 40ns, Topologie: Demi-pont, Dépendance High and Low Sides: Variable, Polarité: Inversion, Type de montage: CMS, Hauteur: 1.65mm.