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Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, SuperSO8 5 X 6 20 A 100 V, 8 Broches

About The Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, SuperSO8 5 x 6 20 A 100 V, 8 broches, MPN: IPG20N10S4L35ATMA1

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Specifications of Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, SuperSO8 5 X 6 20 A 100 V, 8 Broches

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Siemens ADAPTATEUR COUD+ + 90¦, 9 PÈLES POUR INTERFACE RS485/422

Siemens ADAPTATEUR COUD+ + 90¦, 9 PÈLES POUR INTERFACE RS485/422

Siemens ADAPTATEUR COUD+ + 90¦, 9 PÈLES POUR INTERFACE RS485/422, MPN: 6AV6671-8XD00-0AX0.

  • Siemens
    • Yageo Résistance CMS 0.5mΩ, boitier 5931 ±1% 5W

    Yageo Résistance CMS 0.5mΩ, boitier 5931 ±1% 5W

    5mΩ, boitier 5931 ±1% 5W, MPN: PU5931FKN130U5L.Yageo Résistance CMS 0.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Passifs
  • Résistances
  • Résistances à montage en surface
  • Yageo
    • Siemens CONNECTEURS 8 CONNECTEURS + 8 S+CURIT+S S7-300 S7-400

    Siemens CONNECTEURS 8 CONNECTEURS + 8 S+CURIT+S S7-300 S7-400

    Siemens CONNECTEURS 8 CONNECTEURS + 8 S+CURIT+S S7-300 S7-400, MPN: 6ES79213BE100AA0.

  • Siemens
    • RS PRO Kit d

    RS PRO Kit d'écrous en Acier Inoxydable, 545 pièces

    RS PRO Kit d'écrous en Acier Inoxydable, 545 pièces, Type d'écrou: Autobloquant, Taille de filetage: M10, M12, M3, M4, M5, M6, M8, Type d'acier inoxydable: A2 304, Finition: Brut, Conformité: DIN 985.

  • Mécanique & Fluides et Outillage
  • Visserie et Fixations
  • Ecrous et rondelles
  • Kits d'écrous
  • RS PRO
    • Yageo Résistance CMS 0.2mΩ, boitier 5931 ±1% 10W

    Yageo Résistance CMS 0.2mΩ, boitier 5931 ±1% 10W

    Yageo Résistance CMS 0.2mΩ, boitier 5931 ±1% 10W, MPN: PU5931FKHPA0U2L.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Passifs
  • Résistances
  • Résistances à montage en surface
  • Yageo
    • Yageo Résistance CMS 0.3mΩ, boitier 3921 ±1% 9W

    Yageo Résistance CMS 0.3mΩ, boitier 3921 ±1% 9W

    Yageo Résistance CMS 0.3mΩ, boitier 3921 ±1% 9W, MPN: PU3921FKNP90U3L.

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    • Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, IPAK (TO-251) 9,4 A 700 V, 3 broches

    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, IPAK (TO-251) 9,4 A 700 V, 3 broches

    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, IPAK (TO-251) 9,4 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,2 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPSA70R1K2P7SAKMA1.

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    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, SuperSO8 5 x 6 20 A 100 V, 8 broches

    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, SuperSO8 5 x 6 20 A 100 V, 8 broches, MPN: IPG20N10S4L35ATMA1.

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    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, IPAK (TO-251) 9,4 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,2 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPSA70R1K2P7SAKMA1.

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    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, SuperSO8 5 x 6 20 A 100 V, 8 broches, MPN: IPG20N10S4L35ATMA1.

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