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Onsemi MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 2,8 A 600 V, 3 Broches

About The onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 2,8 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 49 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 2.39mm, Longueur: 6

onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 2,8 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 49 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 2.39mm, Longueur: 6.73mm, MPN: FQD5N60CTM

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