Sick Capteur à Ultrasons,, 15 → 30 V, NPN, PNP, 13 → 150 Mm

2s, Courant maximum: 100 A, MPN: MF-NSMF125-2.

2A, 2.

Bourns Fusible réarmable, 4A, 2A, 15V, Temps de déclenchement: 5s, Courant maximum: 40 A, MPN: MF-LSMF200X-2.

5s, Courant maximum: 40 A, MPN: MF-LSMF110X-2.Bourns Fusible réarmable, 2.1A, 33V, Temps de déclenchement: 0.

c., Tension de pincement: 710V, Courant de pincement: 15000A, MPN: CVQ275K23BL1.Bourns Varistance disque, Tension DC maximale: 350V c.

Bourns Varistance disque, Tension DC maximale: 350V c.c., Tension de pincement: 710V, Courant de pincement: 6500A, MPN: CV275K20BL1.

maximum: 30V, Type de montage: Noyable, Courant de commutation: 100 mA, Matériau du boîtier: ABS, MPN: 6068454 Sick Capteur à ultrasons,, 15 → 30 V, NPN, PNP, 13 → 150 mm.

39mm, Longueur: 6.73mm, MPN: FQD5N60CTM.onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 2,8 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 49 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 2.

maximum: 30V, Type de montage: Noyable, Courant de commutation: 100 mA, Matériau du boîtier: ABS, MPN: 6068454 Sick Capteur à ultrasons,, 15 → 30 V, NPN, PNP, 13 → 150 mm.

onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 2,8 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 49 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 2.39mm, Longueur: 6.73mm, MPN: FQD5N60CTM.