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Texas Instruments

Texas Instruments Commutateur Pour Capteur à Effet Hall Traversant TO-92, 3 Broches

About The 62 x 3.25mm, Hystérésis du capteur magnétique typique: 3,4 mT, MPN: DRV5033AJQLPG

Texas Instruments Commutateur pour capteur à effet Hall Traversant TO-92, 3 broches, Type de capteur: Capteurs à effet Hall, Type magnétique: Omnipolaire, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 38 V, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2,5 V, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Hauteur: 3.25mm, Dimensions: 4.1 x 1.62 x 3.25mm, Hystérésis du capteur magnétique typique: 3,4 mT, MPN: DRV5033AJQLPG

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Specifications of Texas Instruments Commutateur Pour Capteur à Effet Hall Traversant TO-92, 3 Broches

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Samtec Embase pour CI, EHT, 10 pôles, 2.0mm, 2 rangées, 3.0A, Droit
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    • Amphenol connector,metal circ,cable recept,size 18,for 6#16 crimp socket cont,black fin

    Amphenol connector,metal circ,cable recept,size 18,for 6#16 crimp socket cont,black fin

    Amphenol connector,metal circ,cable recept,size 18,for 6#16 crimp socket cont,black fin, MPN: 97-4101A-18-12S(621).

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    Phoenix Contact Accessoire pour automate de sertissage, MPN: 1205613.

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    • Texas Instruments MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches

    Texas Instruments MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches

    67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: CSD19536KTTT.Texas Instruments MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.

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    Texas Instruments MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches

    67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: CSD19536KTTT.Texas Instruments MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.

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