Texas Instruments MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: CSD19536KTTT
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Texas Instruments MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 Broches
Specifications of Texas Instruments MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 Broches | |
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