Microchip Diode Schottky Et De Redressement Traversante, 30A, 700V, TO-247

Nexperia Transistor, PNP Simple, -100 mA, -45 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Gain en courant DC minimum: 420, Tension Collecteur Base maximum: -50 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.

4 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC849B.Nexperia Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3 x 1.

Microchip Diode Schottky et de redressement traversante, 50A, 1700V, TO-247, MPN: MSC050SDA170B.

Microchip Diode Schottky et de redressement traversante, 30A, 1200V, TO-220, MPN: MSC030SDA120K.

Microchip Diode Schottky et de redressement traversante, 30A, 1200V, TO-220, MPN: MSC030SDA120K.