Vishay MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 100 A 60 V, 3 Broches
About The Vishay MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 100 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, 0,0052 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Série: AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®, MPN: SQD50034EL_GE3
Vishay MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 100 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, 0,0052 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Série: AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®, MPN: SQD50034EL_GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 100 A 60 V, 3 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 100 A 60 V, 3 Broches | |
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