DiodesZetex MOSFET Canal N, X2-DFN1006 1 A 20 V, 3 Broches
About The DiodesZetex MOSFET canal N, X2-DFN1006 1 A 20 V, 3 broches, Courant continu de Drain maximum: 0,8 A (état), 1 A (stable), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 700 μΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.2V, MPN: DMN2450UFB4-7R
DiodesZetex MOSFET canal N, X2-DFN1006 1 A 20 V, 3 broches, Courant continu de Drain maximum: 0,8 A (état), 1 A (stable), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 700 μΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.9V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±12 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: DMN2450UFB4-7R
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DiodesZetex MOSFET Canal N, X2-DFN1006 1 A 20 V, 3 Broches
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Specifications of DiodesZetex MOSFET Canal N, X2-DFN1006 1 A 20 V, 3 Broches | |
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