TE Connectivity Embase Pour CI, Dynamic 4000, 3 Pôles, 6.35mm 1 Rangée, 23.0A, Droit

, Force d'actionnement: 3,5 N, Température maximale d'utilisation: +85°C, Durée de vie mécanique: 100000Cycles, Température d'utilisation minimale: -40°C, Température de fonctionnement: -40 → +85°C, MPN: EVQ-Q2Y01W.

0A, Orientation du corps: Droit, Tension: 150,0 V, Type d'accouplement: Baïonnette, Taille du capot: 10, Matériau du boîtier: Thermoplastique, Serre-câble: Oui, MPN: UTS1JC104S.

0A, Orientation du corps: Droit, Tension: 150,0 V, Type d'accouplement: Baïonnette, Taille du capot: 14, Matériau du boîtier: Thermoplastique, Serre-câble: Oui, MPN: UTS1JC1412S.Souriau Sunbank by Eaton Connecteur circulaire Souriau série UTS, Standard 12 contacts, Suspension libre, raccordement A sertir, Genre du boitier: Mâle, Indice de protection IP: IP68, IP69K, Courant: 10.

RS PRO Bouteille de laboratoire, 250ml, en Polyéthylène basse densité, à Col étroit, Type de bouteille: Pissette, Dimensions: 59 (Dia.) x 145mm, Diamètre: 59mm.

Fluke Protection d'écran série 120B, MPN: SP120B.

54mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRF630NPBF.Infineon MOSFET canal N, TO-220AB 9,3 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 300 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 82 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.

Infineon MOSFET canal P, TO-220AB 40 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.54mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRF5210PBF.

TE Connectivity Embase pour CI, Dynamic 4000, 3 pôles, 6.

Infineon MOSFET canal P, TO-220AB 40 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.54mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRF5210PBF.

TE Connectivity Embase pour CI, Dynamic 4000, 3 pôles, 6.0A, Droit, Enveloppé/Non-Enveloppé: Enveloppé, Système de connecteurs: Fil à Carte, Type de montage: Traversant, Type de raccordement: A souder, Matériau du contact: Alliage de cuivre, Courant: 23A, MPN: 1-1747277-3.35mm 1 rangée, 23.