Toshiba MOSFET Canal N, TO-220SIS 42 A 120 V, 3 Broches
About The Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 42 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 9,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 35 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK42A12N1,S4X(S
Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 42 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 9,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 35 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK42A12N1,S4X(S
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Toshiba MOSFET Canal N, TO-220SIS 42 A 120 V, 3 Broches
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Specifications of Toshiba MOSFET Canal N, TO-220SIS 42 A 120 V, 3 Broches | |
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