Renesas Electronics Mémoire SRAM CMS 4Mbit 256 K X 16 Bits TSOP 32 Broches

JST Embase pour CI, BNI, 4 pôles, 3.

6MPa, raccord G 1/4, Ø cadran 66mm, Type de montage: Entrée par le dessous, Type d'affichage: Analogique, MPN: 7767715.WIKA Manomètre, 0MPa à 0.

, Configuration de contact: Unipolaire à deux directions (1RT), Type de montage: Montage panneau, Type de terminaison: A souder, Diamètre de découpe panneau: 6.41mm, Matériau de l'actionneur: Laiton chromé, Résistance du contact: 10mΩ, Matériau du contact: Laiton plaqué argent, Température maximale d'utilisation: +85°C, Durée de vie mécanique: 40000Cycles, Température d'utilisation minimale: -30°C, Température de fonctionnement: -30 +85°C.a.RS PRO Interrupteur à bascule, On-Off-(On), 1RT, 5 A @ 250 V c.

35mm, Longueur de l'actionneur: 10.41mm, Matériau de l'actionneur: Laiton chromé, Résistance du contact: 10mΩ, Matériau du contact: Laiton plaqué argent, Température maximale d'utilisation: +85°C, Durée de vie mécanique: 40000Cycles, Température d'utilisation minimale: -30°C, Température de fonctionnement: -30 +85°C.

a.27mm, Traversant, Droit, Type: Carte à carte, Type de raccordement: A souder, Courant: 5A, Tension: 350 V c.

WIKA Manomètre, 0bar à 70bar, raccord G 1/4, Ø cadran 66mm, Type de montage: Entrée par le dessous, Type d'affichage: Analogique, MPN: 7214308.

05 x 10.Renesas Electronics Mémoire SRAM CMS 4Mbit 256 k x 16 bits TSOP 32 broches, Organisation: 256K mots x 16 bits, Nombre de bits par mot: 16bit, Temps d'accès aléatoire maximum: 12ns, Faible consommation: Oui, Type de timing: Asynchrone, Dimensions: 21.

Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 42 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 9,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 35 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK42A12N1,S4X(S.

Renesas Electronics Mémoire SRAM CMS 4Mbit 256 k x 16 bits TSOP 32 broches, Organisation: 256K mots x 16 bits, Nombre de bits par mot: 16bit, Temps d'accès aléatoire maximum: 12ns, Faible consommation: Oui, Type de timing: Asynchrone, Dimensions: 21.26 x 1mm, Longueur: 21.05mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: R1RP0416DSB-2PI#D0.

Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 42 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 9,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 35 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK42A12N1,S4X(S.