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STMicroelectronics MOSFET Canal N, H2PAK-2 20 A 1200 V, 3 Broches

About The STMicroelectronics MOSFET canal N, H2PAK-2 20 A 1200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,203 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 239V, Matériau du transistor: SiC, Série: SiC MOSFET, MPN: SCT20N120H

STMicroelectronics MOSFET canal N, H2PAK-2 20 A 1200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,203 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 239V, Matériau du transistor: SiC, Série: SiC MOSFET, MPN: SCT20N120H

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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, H2PAK-2 20 A 1200 V, 3 Broches

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    Infineon Kit de développement pour capteur, Dispositif: TLx5012B, Classification du kit: Kit d'évaluation, Nom du kit: TLx5012B 2go Evaluation Kit, MPN: TLE5012BE1000MS2GOTOBO1.

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    0 Homme, T 40 Noir, Pointure UK: 6,5, Coques de sécurité: Oui, Type de fermeture: Lacets, Résistant à: Chaleur, dérapage, Fonctions de sécurité supplémentaires: HRO, Sécurité conforme à la norme EN ISO 20345: S3, Valeur nominale de résistance aux glissements: SRC, Matériau de la chaussure: Cuir, MPN: Velocity 2.0 40.

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