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DiodesZetex MOSFET Canal N/P, SOIC 3,1 A 60 V, 8 Broches

About The DiodesZetex MOSFET canal N/P, SOIC 3,1 A 60 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,12 O, 0,25 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3 V, 3 V, MPN: DMHC6070LSD-13

DiodesZetex MOSFET canal N/P, SOIC 3,1 A 60 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,12 O, 0,25 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3 V, 3 V, MPN: DMHC6070LSD-13

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Specifications of DiodesZetex MOSFET Canal N/P, SOIC 3,1 A 60 V, 8 Broches

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DiodesZetex Transistor bipolaire faible saturation, PNP, -30 A, -60 V, PowerDI5060-8, 8 broches

DiodesZetex Transistor bipolaire faible saturation, PNP, -30 A, -60 V, PowerDI5060-8, 8 broches

DiodesZetex Transistor bipolaire faible saturation, PNP, -30 A, -60 V, PowerDI5060-8, 8 broches, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 150, MPN: DXTP3C60PSQ-13.

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    DiodesZetex Diode Schottky et de redressement CMS, 600V, TO-252, Type de redressement: Recouvrement rapide, Type diode: Diode épitaxiale à récupération rapide, MPN: DTH8R06D1-13.

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    DiodesZetex MOSFET canal N, PowerDI3333-8 100 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,028 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, MPN: DMT32M4LFG-7.

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    DiodesZetex MOSFET canal N, PowerDI3333-8 100 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,028 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, MPN: DMT32M4LFG-7.

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