DiodesZetex MOSFET Canal N/P, TSOT-26 2 A, 4,5 A 30 V, 6 Broches
About The DiodesZetex MOSFET canal N/P, TSOT-26 2 A, 4,5 A 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 85 mΩ, 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DMG6601LVT-7
DiodesZetex MOSFET canal N/P, TSOT-26 2 A, 4,5 A 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 85 mΩ, 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DMG6601LVT-7
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
DiodesZetex MOSFET Canal N/P, TSOT-26 2 A, 4,5 A 30 V, 6 Broches
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Specifications of DiodesZetex MOSFET Canal N/P, TSOT-26 2 A, 4,5 A 30 V, 6 Broches | |
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