Infineon MOSFET canal P, TO-220AB 40 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 8.77mm, MPN: IRF5210PBF
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Infineon MOSFET Canal P, TO-220AB 40 A 100 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal P, TO-220AB 40 A 100 V, 3 Broches | |
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