IXYS MOSFET canal N, PLUS264 132 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 39 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,89 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 26.59mm, Longueur: 20.29mm, MPN: IXFB132N50P3
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IXYS MOSFET Canal N, PLUS264 132 A 500 V, 3 Broches
Specifications of IXYS MOSFET Canal N, PLUS264 132 A 500 V, 3 Broches | |
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