Infineon MOSFET canal N, TDSON 55 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 66 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 1.1mm, MPN: BSC123N08NS3 G
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Infineon MOSFET Canal N, TDSON 55 A 80 V, 8 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TDSON 55 A 80 V, 8 Broches | |
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