Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 65 A 200 V, 3 Broches
About The 41mm, MPN: SUM65N20-30-E3.Vishay MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 65 A 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 84 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 4
Vishay MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 65 A 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 84 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 4.826mm, Longueur: 10.41mm, MPN: SUM65N20-30-E3
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Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 65 A 200 V, 3 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 65 A 200 V, 3 Broches | |
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