STMicroelectronics MOSFET Canal N, ISOTOP 40 A 600 V, 4 Broches

5mm.

1 x 3.

1 x 3.

85mm.54 x 9.65 x 4.

≤ 1000 mW DO-41.2 x 2.

5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 140 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.

5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 350 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.

1mm, MPN: STE40NC60.

STMicroelectronics MOSFET canal N, A-247 13 A 1 000 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 700 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 350 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW13NK100Z.

STMicroelectronics MOSFET canal N, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 460 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 9.1mm, MPN: STE40NC60.