Infineon MOSFET Canal P, SOT-23 4,3 A 20 V, 3 Broches
About The 3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Hauteur: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0
Infineon MOSFET canal P, SOT-23 4,3 A 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 95 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 1.3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Hauteur: 1.02mm, MPN: IRLML2244TRPBF
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Infineon MOSFET Canal P, SOT-23 4,3 A 20 V, 3 Broches
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Specifications of Infineon MOSFET Canal P, SOT-23 4,3 A 20 V, 3 Broches | |
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