Vishay MOSFET canal P, SO-8 19,7 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0165 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Série: TrenchFET, MPN: SI4425DDY-T1-GE3
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Vishay MOSFET Canal P, SO-8 19,7 A 30 V, 8 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal P, SO-8 19,7 A 30 V, 8 Broches | |
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