onsemi MOSFET canal P, SOT-23 2 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 80 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 2.92mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDN360P
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Onsemi MOSFET Canal P, SOT-23 2 A 30 V, 3 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal P, SOT-23 2 A 30 V, 3 Broches | |
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