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ROHM Diode CMS, 100mA, 30V, SOT-416 (SC-75 A)

About The ROHM Diode CMS, 100mA, 30V, SOT-416 (SC-75 A), Configuration de diode: Série, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 450mV, Nombre d'éléments par circuit: 2, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 500mA, MPN: RB548WTL

ROHM Diode CMS, 100mA, 30V, SOT-416 (SC-75 A), Configuration de diode: Série, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 450mV, Nombre d'éléments par circuit: 2, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 500mA, MPN: RB548WTL

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ROHM Diode CMS, 100mA, 30V, SOT-416 (SC-75 A)

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Specifications of ROHM Diode CMS, 100mA, 30V, SOT-416 (SC-75 A)

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Rating :- 8.05 /10
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Murata Power Solutions Convertisseur DC-DC, UWE, Montage traversant, 72W, 1 sortie, 12V c.c., 6A
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    • Vishay Condensateur à couche mince de polypropylène MKP1848Se DC-Link 1μF 1.2kV c.c.
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    • Vishay Condensateur à couche mince de polypropylène MKP1848Se DC-Link 5μF 900V c.c.

    Vishay Condensateur à couche mince de polypropylène MKP1848Se DC-Link 5μF 900V c.c.

    10%.10%, Capacité: 5µF, Type de montage: Traversant, MPN: MKP1848Se55090JP4B Vishay Condensateur à couche mince de polypropylène MKP1848Se DC-Link 5μF 900V c.c.

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    • Murata Power Solutions Inductance à mode commun, 10 mH, 1.7A, 193mΩ, Séries 5200

    Murata Power Solutions Inductance à mode commun, 10 mH, 1.7A, 193mΩ, Séries 5200

    3mm, Hauteur: 31mm, Dimensions: 24 x 16.32mm, Température d'utilisation maximum: +125°C, Température d'utilisation minimum: -40°C, Type de terminaison: Traversant, MPN: 52106C.3 x 31mm, Pas entre broches: 20.

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    • TE Connectivity Résistance à montage sur châssis Bobinée, 47kΩ 50W ±5%

    TE Connectivity Résistance à montage sur châssis Bobinée, 47kΩ 50W ±5%

    TE Connectivity Résistance à montage sur châssis Bobinée, 47kΩ 50W ±5%, Série: THS50, Boîtier: Enveloppées d'aluminium, Style de terminaison: Œillet à souder, Coefficient de température minimal: -30ppm/°C, Coefficient de température maximal: +30ppm/°C, MPN: THS5047KJ.

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    • TE Connectivity Résistance à montage sur châssis Bobinée, 5.6Ω 50W ±5%

    TE Connectivity Résistance à montage sur châssis Bobinée, 5.6Ω 50W ±5%

    TE Connectivity Résistance à montage sur châssis Bobinée, 5.6Ω 50W ±5%, Série: THS50, Boîtier: Enveloppées d'aluminium, Style de terminaison: Œillet à souder, Coefficient de température minimal: -50ppm/°C, Coefficient de température maximal: +50ppm/°C, MPN: THS505R6J.

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  • Résistances à montage sur châssis
  • TE Connectivity
    • TE Connectivity Résistance CMS série CRG 2.7kΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.25W

    TE Connectivity Résistance CMS série CRG 2.7kΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.25W

    7kΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.25W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +125°C, MPN: CRG1206F2K7.TE Connectivity Résistance CMS série CRG 2.

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    • ROHM Diode CMS, 100mA, 30V, SOT-416 (SC-75 A)

    ROHM Diode CMS, 100mA, 30V, SOT-416 (SC-75 A)

    ROHM Diode CMS, 100mA, 30V, SOT-416 (SC-75 A), Configuration de diode: Série, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 450mV, Nombre d'éléments par circuit: 2, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 500mA, MPN: RB548WTL.

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    • TE Connectivity Résistance CMS série CRG 2.7kΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.25W

    TE Connectivity Résistance CMS série CRG 2.7kΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.25W

    25W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +125°C, MPN: CRG1206F2K7.TE Connectivity Résistance CMS série CRG 2.

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    ROHM Diode CMS, 100mA, 30V, SOT-416 (SC-75 A), Configuration de diode: Série, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 450mV, Nombre d'éléments par circuit: 2, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 500mA, MPN: RB548WTL.

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