Nexperia MOSFET canal N, DFN1010B-6 600 mA 20 V, 8 broches, Type de boîtier: DFN1010B-6, SOT1216, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.95V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.45V, Dissipation de puissance maximum: 4025 mW inclus), Tension Grille Source maximum: 8 V, Hauteur: 0.4mm, Longueur: 1.15mm, MPN: PMDXB600UNEZ
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Nexperia MOSFET Canal N, DFN1010B-6 600 MA 20 V, 8 Broches
Specifications of Nexperia MOSFET Canal N, DFN1010B-6 600 MA 20 V, 8 Broches | |
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