STMicroelectronics MOSFET canal N, TO-220 120 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 3,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 15.75mm, MPN: STP260N6F6
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STMicroelectronics MOSFET Canal N, TO-220 120 A 60 V, 3 Broches
Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, TO-220 120 A 60 V, 3 Broches | |
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