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Toshiba MOSFET Canal P, SOT-23 6 A 12 V, 3 Broches

About The Toshiba MOSFET canal P, SOT-23 6 A 12 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,63 e + 007 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3J338R,LF(T

Toshiba MOSFET canal P, SOT-23 6 A 12 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,63 e + 007 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3J338R,LF(T

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Specifications of Toshiba MOSFET Canal P, SOT-23 6 A 12 V, 3 Broches

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TE Connectivity Résistance Oxyde métallique 5.6kΩ ±5%, Céramique, 5W Axial

TE Connectivity Résistance Oxyde métallique 5.6kΩ ±5%, Céramique, 5W Axial

6kΩ ±5%, Céramique, 5W Axial, Série: ROX, Température d'utilisation maximum: +155°C, Coefficient de température: ±350ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: ROX5SSJ5K6.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Passifs
  • Résistances
  • Résistances traversantes
  • TE Connectivity
    • Molex Cordon assemblé Mini-Lock, 300mm, 2.5mm

    Molex Cordon assemblé Mini-Lock, 300mm, 2.5mm

    5mm, Numéro de série: 15137, Connecteur 1 - Genre: Femelle, Genre du boîtier de connecteur 1: Mâle, Couleur de gaine: Noir, Tension: 250 V, Courant: 3,5 A, MPN: 151370203.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Câbles & cordons et fils
  • Câbles fil à carte et câbles en nappe
  • Cordons fil à carte
  • Molex
    • TE Connectivity Connecteur Sub-D Femelle 25 voies Traversant Angle droit

    TE Connectivity Connecteur Sub-D Femelle 25 voies Traversant Angle droit

    75mm, Pièces de fixation: Verrouillages par vis femelles, verrouillages de carte 4 - 40 UNC, Type de raccordement: A souder, Matériau du boîtier: Thermoplastique, Longueur: 53.79mm, Série: Amplimite HD-20, MPN: 5747846-6.

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    • Toshiba MOSFET canal P, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches

    Toshiba MOSFET canal P, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches

    Toshiba MOSFET canal P, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4e+008 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3J356R,LF(T.

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    Toshiba MOSFET canal P, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches

    Toshiba MOSFET canal P, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4e+008 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3J356R,LF(T.

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