Toshiba MOSFET Canal P, SOT-23 2 A 60 V, 3 Broches
About The Toshiba MOSFET canal P, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4e+008 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3J356R,LF(T
Toshiba MOSFET canal P, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4e+008 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3J356R,LF(T
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Toshiba MOSFET Canal P, SOT-23 2 A 60 V, 3 Broches
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