Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 25 A 60 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TSM025, MPN: TSM300NB06DCR
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Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 25 A 60 V, 8 Broches
Specifications of Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 25 A 60 V, 8 Broches | |
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