IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 Broches, Simple
About The IXYS IGBT,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 880 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 10 → 30kHz, Dimensions: 20.3 x 5
IXYS IGBT,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 880 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 10 → 30kHz, Dimensions: 20.3 x 5.3 x 26.6mm, Indice énergétique: 3mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > IGBT
IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 Broches, Simple
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Specifications of IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 Broches, Simple | |
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