Microchip Mémoire EEPROM En Série, 24AA1025-I/SM, 1Mbit, Série-I2C SOIJ, 8 Broches, 8bit

ROHM IGBT,, 104 A, 650 V, To-247GE, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 288 W, Configuration: Collecteur simple, émetteur simple, porte simple, MPN: RGWSX2TS65GC13.

Microchip Microcontrôleur, 8bit, 1,024 ko, 3,896 ko RAM, 64 Ko, 64MHz, QFN 44, série PIC18F, Type de montage: CMS, Nombre d'unités PWM: 5 x 10 bit, MPN: PIC18F46K22-I/ML.

Bourns Inductance bobinée CMS 1 μH, 3A max, dimensions 4 x 4 x 2.

75mm, Conservation des données: >200an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 900ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: 24LC512-I/SN.9 x 3.9 x 1.5V, Dimensions: 4.

Sola UPS, 850VA, 510 Watts, 230 Volt, Din Rail Mount, MPN: SDU850-5.

9mm, Température d'utilisation maximum: +70 °C.9 x 3.

Microchip Mémoire EEPROM en série, 1Mbit, Série-I2C SOIJ, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Tension de programmation: 1.

TE Connectivity Résistance Oxyde métallique 150Ω ±5%, 3W, Série: ROX3S, Température d'utilisation maximum: +235°C, Coefficient de température: ±300ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: ROX3SJ150R.

Microchip Mémoire EEPROM en série, 1Mbit, Série-I2C SOIJ, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Tension de programmation: 1.7 → 5.5V, Dimensions: 5.

TE Connectivity Résistance Oxyde métallique 150Ω ±5%, 3W, Série: ROX3S, Température d'utilisation maximum: +235°C, Coefficient de température: ±300ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: ROX3SJ150R.