Infineon MOSFET canal N, SOIC 12 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.9V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.5mm, MPN: IRF7855TRPBF
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Infineon MOSFET Canal N, SOIC 12 A 60 V, 8 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, SOIC 12 A 60 V, 8 Broches | |
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