onsemi MOSFET canal N, Power 33 16 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 212 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 35 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.75mm, Longueur: 3.3mm, MPN: FDMC3612
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Onsemi MOSFET Canal N, Power 33 16 A 100 V, 8 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, Power 33 16 A 100 V, 8 Broches | |
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