Nexperia MOSFET Canal N, LFPAK, SOT-669 100 A 60 V, 4 Broches
About The Nexperia MOSFET canal N, LFPAK, SOT-669 100 A 60 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 130 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: PSMN5R5-60YS,115
Nexperia MOSFET canal N, LFPAK, SOT-669 100 A 60 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 130 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: PSMN5R5-60YS,115
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Nexperia MOSFET Canal N, LFPAK, SOT-669 100 A 60 V, 4 Broches
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Specifications of Nexperia MOSFET Canal N, LFPAK, SOT-669 100 A 60 V, 4 Broches | |
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