Nexperia MOSFET canal N, LFPAK, SOT-669 89 A 60 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 10,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 117 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: PSMN7R0-60YS,115
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Nexperia MOSFET Canal N, LFPAK, SOT-669 89 A 60 V, 4 Broches
Specifications of Nexperia MOSFET Canal N, LFPAK, SOT-669 89 A 60 V, 4 Broches | |
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