onsemi Diode traversante, 1A, 400V, DO-41, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Nombre de broche: 2, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 2.72mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 30A, MPN: EGP10G
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Onsemi Diode Traversante, 1A, 400V, DO-41
Specifications of Onsemi Diode Traversante, 1A, 400V, DO-41 | |
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