onsemi MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 12 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 135 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FQD17P06TM
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Onsemi MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 12 A 60 V, 3 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 12 A 60 V, 3 Broches | |
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