onsemi MOSFET canal N, TO-220F 8 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 530 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 30,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 16.07mm, Longueur: 10.36mm, MPN: FCPF650N80Z
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Onsemi MOSFET Canal N, TO-220F 8 A 800 V, 3 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, TO-220F 8 A 800 V, 3 Broches | |
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