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Microchip MOSFET Canal N, TO-92 150 MA 250 V, 3 Broches

About The Microchip MOSFET canal N, TO-92 150 mA 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TN5325, MPN: TN5325K1-G

Microchip MOSFET canal N, TO-92 150 mA 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TN5325, MPN: TN5325K1-G

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Specifications of Microchip MOSFET Canal N, TO-92 150 MA 250 V, 3 Broches

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XP Power Convertisseur DC-DC, IV, Montage traversant, 1W, 1 sortie, 3.3V c.c., 300mA
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  • Convertisseurs de tension
  • Convertisseurs DC-DC
  • XP Power
    • Hutchinson Le Joint Français Bague BS, Ø int.

    Hutchinson Le Joint Français Bague BS, Ø int.

    8.22mm, en Caoutchouc : PC851 et 8.31mm, Ø ext.13.

  • Mécanique & Fluides et Outillage
  • Roulements et joints
  • Joints et étanchéité
  • Joints et joints toriques
  • Hutchinson Le Joint Français
    • Wurth Elektronik Câble coaxial, RG174, MMCX, / MMCX, 152.4mm

    Wurth Elektronik Câble coaxial, RG174, MMCX, / MMCX, 152.4mm

    7mm, Impédance caractéristique: 50 Ω, Atténuation: 0,35 dB, Matériau du conducteur: Laiton, Matériau de l'isolant: PTFE, Température maximum d'utilisation: +80°C, MPN: 65560660515303.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Câbles & cordons et fils
  • Câbles réseau et coaxiaux
  • Câbles coaxiaux
  • Wurth Elektronik
    • Samtec Connecteur femelle pour CI, 46 contacts, 2 rangées, 2.54mm, Traversant, Droit

    Samtec Connecteur femelle pour CI, 46 contacts, 2 rangées, 2.54mm, Traversant, Droit

    Samtec Connecteur femelle pour CI, 46 contacts, 2 rangées, 2.54mm, Traversant, Droit, Type: Barrette femelle relevée, Type de raccordement: A souder, Courant: 12 A, 23A, Tension: 225 V, Série: ESQ, Matériau du contact: Bronze, MPN: ESQ-123-14-G-D.

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  • Samtec
    • Microchip MOSFET canal P, TO-92 643 mA 60 V, 3 broches

    Microchip MOSFET canal P, TO-92 643 mA 60 V, 3 broches

    Microchip MOSFET canal P, TO-92 643 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Matériau du transistor: Silicium, Série: VP2206, MPN: VP2206N3-G.

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    • Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

    Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

    5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT15J341.Toshiba IGBT,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.

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    • Microchip MOSFET canal N, TO-92 150 mA 250 V, 3 broches

    Microchip MOSFET canal N, TO-92 150 mA 250 V, 3 broches

    Microchip MOSFET canal N, TO-92 150 mA 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TN5325, MPN: TN5325K1-G.

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    • Weidmuller Bornier pour CI 3 contacts 1 rangée(s) pas de 7.5mm série LL

    Weidmuller Bornier pour CI 3 contacts 1 rangée(s) pas de 7.5mm série LL

    Weidmuller Bornier pour CI 3 contacts 1 rangée(s) pas de 7.5mm série LL, Type de montage: PCB, MPN: 2473010000.

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    • Microchip MOSFET canal N, TO-92 150 mA 250 V, 3 broches

    Microchip MOSFET canal N, TO-92 150 mA 250 V, 3 broches

    Microchip MOSFET canal N, TO-92 150 mA 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TN5325, MPN: TN5325K1-G.

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    • Weidmuller Bornier pour CI 3 contacts 1 rangée(s) pas de 7.5mm série LL

    Weidmuller Bornier pour CI 3 contacts 1 rangée(s) pas de 7.5mm série LL

    Weidmuller Bornier pour CI 3 contacts 1 rangée(s) pas de 7.

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