Onsemi MOSFET Canal N/P, SOIC 4,4 A, 6,2 A 40 V, 8 Broches

ABB Contacteur série ESB, 4 pôles, 4 N/O, 30 A, 24 V, 2,77 kW, Gamme: ESB40-40N-01, Fonction: Conformité.

5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 390 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.41mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFA80N25X3.IXYS MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 250 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 16 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

Phoenix Contact Flasque d'extrémité, MPN: 3249010.

1 V (Typ.) Forward; Surface; Axial Leaded; 590 nm, MPN: SSL-LXA228SYC-TR31.Lumex LED; Super Yellow; 90 mcd; 2.

RS PRO Cartouche fusible, 8A 5 x 20mm Type T 250V c.

Broadcom Transceiver Fibre Optique, 8, 50MBd, 650нм, Forme du Connecteur: Rond, Temps de montée typique d e l'émetteur: 5 (Maximum)ns, Type de montage: Traversant, Dimensions: 10.

onsemi MOSFET canal N/P, SOIC 4,4 A, 6,2 A 40 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 29 mΩ, 46 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDS4897C.

a., Matériau du corps: Verre.RS PRO Cartouche fusible, 10A 5 x 20mm Type T 250V c.

onsemi MOSFET canal N/P, SOIC 4,4 A, 6,2 A 40 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 29 mΩ, 46 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDS4897C.

RS PRO Cartouche fusible, 10A 5 x 20mm Type T 250V c.a., Matériau du corps: Verre.