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ROHM MOSFET Canal N, DFN 1 A 20 V, 3 Broches

About The ROHM MOSFET canal N, DFN 1 A 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,05 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: RV2C010UNT2L

ROHM MOSFET canal N, DFN 1 A 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,05 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.3V, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 0.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: RV2C010UNT2L

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Specifications of ROHM MOSFET Canal N, DFN 1 A 20 V, 3 Broches

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