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STMicroelectronics MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 75 A 75 V, 3 Broches

About The 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -15 V, +15 V, Longueur: 10.STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 75 A 75 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 11 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2

STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 75 A 75 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 11 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -15 V, +15 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STB75NF75LT4

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Murata Ensemble de cadre de montage de panneau DMS20, MPN: DMS-BZL3-C.

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    c., 1A, 12W, Type de montage: Montage traversant, Boîtier: A-220, Rendement: 95.5mm, MPN: OKI-78SR-12/1.

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    5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -15 V, +15 V, Longueur: 10.STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 75 A 75 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 11 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.

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    4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STB80NF10T4.STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.

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    STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STB80NF10T4.

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