Onsemi MOSFET Canal N/P, SOT-23 1,9 A, 2,7 A 20 V, 6 Broches

8V, Type de composant: Transceiver, Technique de modulation: FM, Taux de donnée RF maximum: 500kbps, Puissance de sortie maximum: 20dBm, Type de montage: CMS, MPN: ZETAPLUS20-8S.

45V, Technologie de diode: Jonction au silicium, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 330A, MPN: DSI30-16A.

ROHM Résistance CMS, boitier 1206 (3216M) ±5% 0.5W, Technologie: Film couche épaisse, MPN: ESR18EZPJ244.

5W, MPN: ESR18EZPJ225.ROHM Résistance CMS, boitier 1206 (3216M) ±5% 0.

RF Solutions Télécommande porte-clés, 868MHz, 1 voie(s), Modulation: LoRa, Tension d'alimentation nominale: 6 → 30V c.

8mm, MPN: MMBT3904TT1G., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1.

ROHM Résistance CMS, boitier 1206 (3216M) ±5% 0.

4V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 1mm, Longueur: 3mm, MPN: FDC6327C.onsemi MOSFET canal N/P, SOT-23 1,9 A, 2,7 A 20 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.

ROHM Résistance CMS, boitier 1206 (3216M) ±5% 0.5W, Technologie: Film couche épaisse, MPN: ESR18EZPJ1R8.

onsemi MOSFET canal N/P, SOT-23 1,9 A, 2,7 A 20 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 1mm, Longueur: 3mm, MPN: FDC6327C.