Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 30 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 75 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.7V, Hauteur: 2.41mm, Longueur: 6.73mm, MPN: SPD30P06P G
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Infineon MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 30 A 60 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 30 A 60 V, 3 Broches | |
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