Toshiba MOSFET Canal N, TO-3PN 31 A 600 V, 3 Broches
About The .7V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15
Toshiba MOSFET canal N, TO-3PN 31 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 99 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK31J60W5,S1VQ(O
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Toshiba MOSFET Canal N, TO-3PN 31 A 600 V, 3 Broches
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Specifications of Toshiba MOSFET Canal N, TO-3PN 31 A 600 V, 3 Broches | |
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