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NVent RAYCHEM Boîte De Jonction Pour Ruban Chauffant

About The nVent RAYCHEM Boîte de jonction pour ruban chauffant, MPN: JB16-02

nVent RAYCHEM Boîte de jonction pour ruban chauffant, MPN: JB16-02

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NVent RAYCHEM Boîte De Jonction Pour Ruban Chauffant

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Specifications of NVent RAYCHEM Boîte De Jonction Pour Ruban Chauffant

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ROHM Transistor numérique, NPN, 100 mA, 50 V, EMT3, 3 broches

ROHM Transistor numérique, NPN, 100 mA, 50 V, EMT3, 3 broches

ROHM Transistor numérique, NPN, 100 mA, 50 V, EMT3, 3 broches, Type de montage: CMS, MPN: DTC123EE3HZGTL.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors bipolaires
  • ROHM
    • Semikron Pont redresseur Monophasé, 35A, 800V, 4 broches, G 10b

    Semikron Pont redresseur Monophasé, 35A, 800V, 4 broches, G 10b

    Semikron Pont redresseur Monophasé, 35A, 800V, 4 broches, G 10b, Type de montage: Montage panneau, MPN: SKB 35/08.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Ponts redresseurs
  • Semikron
    • Lapp Câble de données 0,5 mm² 20 AWG, Blindé LiYCY, 100m

    Lapp Câble de données 0,5 mm² 20 AWG, Blindé LiYCY, 100m

    Lapp Câble de données 0,5 mm² 20 AWG, Blindé LiYCY, 100m, Type de blindage: Tresse de cuivre étamé, CPR-certificering: Eca, Couleur de gaine: Gris, Diamètre extérieur: 5.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Câbles & cordons et fils
  • Câbles électriques et industriels
  • Câbles de données multiconducteurs ou à paires torsadées
  • Lapp
    • Infineon MOSFET canal N, PQFN 5 x 6 44 A 150 V, 8 broches

    Infineon MOSFET canal N, PQFN 5 x 6 44 A 150 V, 8 broches

    Infineon MOSFET canal N, PQFN 5 x 6 44 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 31 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRFH5015TRPBF.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors MOSFET
  • Infineon
    • Infineon MOSFET canal N, PQFN 5 x 6 44 A 150 V, 8 broches

    Infineon MOSFET canal N, PQFN 5 x 6 44 A 150 V, 8 broches

    Infineon MOSFET canal N, PQFN 5 x 6 44 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 31 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRFH5015TRPBF.

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  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors MOSFET
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